东芝现已推出40V N沟道车载功率MOSFET XPJ1R504PB

东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已推出40V N沟道车载功率MOSFET“XPJ1R504PB”，扩大了适用于12V系统的产品线。该产品采用S-TOGL封装，额定电流为120A。

近年来，随着汽车设备电气化程度的不断提高，逆变器和电机驱动器的应用范围也在不断扩大，这使得这些设备的输出功率和效率得到了进一步提升。为了顺应这些趋势，MOSFET必须满足低功率损耗和高散热性能需求。XPJ1R504PB采用S-TOGL封装，可实现紧凑的高密度贴装和优异的散热性能，有助于减小车载设备的尺寸、提高效率。

东芝推出的这款产品属于采用S-TOGL封装、已量产的40V产品的现有产品线（包括XPJR6604PB和XPJ1R004PB）。东芝进一步扩展了产品种类，从而能够满足各种不同的应用需求及性能要求。

车载设备需适用于各种温度环境，因此电路板安装中焊点的可靠性显得尤为重要。S-TOGL封装采用鸥翼引线，有助于减轻贴装应力，进而提高焊锡接点的可靠性。

这款产品采用无柱式结构，这种设计将芯片的源极连接端与外部引线整合在一起，从而有效降低了寄生电阻，使得其导通电阻也更低。这样有助于减少导热损耗并抑制热量的产生，从而提升整个系统的效率。该产品也符合AEC-Q101汽车可靠性标准。

东芝将继续推进适合各种应用和系统要求的MOSFET车载产品的开发，助力提高产品在各种车载应用中的效率。

特点

采用S-TOGL小型封装，封装热阻低，散热性能高。

特性说明

采用S-TOGL小型封装，封装热阻低，散热性能高

S-TOGL封装采用无柱式结构，将芯片的源极连接端与外部引线集成在一起，从而省去了内部连接引脚。这样就可以降低寄生电阻，从而实现较低的导通电阻（RDS(ON)）。此外，使用厚铜框架可以降低通道与外壳之间的瞬态热阻抗，从而有助于缩小设备的体积并减少功率损耗。此外，源极引脚采用多针结构设计，有助于改善电流分布，从而使其具备较高的电流承载能力。

图1：柱式结构与无柱式结构对比

应用

车载设备：逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动等

主要规格

（在Ta＝25°C条件下，除非另有规定）

注：

[1] 现有产品

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。

公司22,200名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过7,971亿日元（49.6亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。

如需了解有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多信息，请点击以下链接进行访问：https://toshiba-semicon-storage.com，更多官网精彩点击以下图片即可查看！